MIEB100W1200TEH
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke MOSFET
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIEB100W1200TEH
Symbol TME:
MIEB100W1200TEH
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke MOSFET, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 128A | |
Gehäuse | E3-Pack | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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