MIEB100W1200TEH
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke MOSFET
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIEB100W1200TEH
Symbol TME:
MIEB100W1200TEH
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke MOSFET, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 128A | |
Gehäuse | E3-Pack | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MIEB100W1200TEHAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 136.00 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 161.84 EUR
Nettopreis für Mengen von 3 st - 120.00 EURBruttopreis für Mengen von 3 st - 142.81 EUR
Nettopreis für Mengen von 5 st - 108.00 EURBruttopreis für Mengen von 5 st - 128.52 EUR