MIEB101H1200EH
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; 630W
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIEB101H1200EH
Symbol TME:
MIEB101H1200EH
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | Brücke H | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 128A | |
Gehäuse | E3-Pack | |
Anwendung | Motoren, Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 200A | |
Verlustleistung | 630W | |
Technologie | Sonic FRD™, SPT+ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MIEB101H1200EHAnzahl Stück (Vielfache: 1)
0 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 196.44 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 233.76 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 173.33 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 206.26 USD
Nettopreis für Mengen von 5 st - 156.00 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 185.64 USD