MIXA101W1200EH
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke MOSFET; XPT™
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA101W1200EH
Symbol TME:
MIXA101W1200EH
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke MOSFET | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 108A | |
Gehäuse | E3-Pack | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Technologie | XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MIXA101W1200EHAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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