MIXA10WB1200TED
Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 12A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA10WB1200TED
Symbol TME:
MIXA10WB1200TED
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | 3-phasen Brücke IGBT, 3-Phasendiodenbrücke, buck chopper, NTC Thermistor | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 12A | |
Gehäuse | E2-Pack | |
Anwendung | Motoren, Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Press-in PCB | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 30A | |
Verlustleistung | 60W | |
Technologie | Sonic FRD™, XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht175.88 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: IGBT-Module IXYS,
* MIXA10WB1200TEDAnzahl Stück (Vielfache: 1)
6 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 83.29 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 99.11 USD
Nettopreis für Mengen von 3 st - 73.66 USDBruttopreis für Mengen von 3 st - 87.65 USD
Nettopreis für Mengen von 6 st - 66.12 USDBruttopreis für Mengen von 6 st - 78.68 USD
Schwer erhältliches Produkt
Verpackungsmethode durch den HerstellerKarton = 6 st