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MIXA60WH1200TEH

Modul: IGBT; Diode/Transistor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 60A


Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA60WH1200TEH
Symbol TME:
MIXA60WH1200TEH

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Topologie
3-phasen Brücke IGBT, 3-Phasendiodenbrücke, buck chopper, NTC Thermistor
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
60A
Gehäuse
E3-Pack
Anwendung
für Pumpen, Lüfter, Motoren, Photovoltaik
Elektrische Montage
Press-in PCB
Gate - Emitter Spannung
±20V
Kollektorstrom im Impuls
150A
Verlustleistung
290W
Technologie
Sonic FRD™, XPT™
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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MIXA60WH1200TEH
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