MIXA80R1200VA
Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 84A
Hersteller: IXYS
Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA80R1200VA
Symbol TME:
MIXA80R1200VA
Technische Daten
Hersteller | IXYS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor | |
Topologie | boost chopper | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 84A | |
Gehäuse | V1-A-Pack | |
Anwendung | für Pumpen, Lüfter, Motoren, Photovoltaik | |
Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 225A | |
Verlustleistung | 390W | |
Technologie | Sonic FRD™, XPT™ | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht10 g
Zertifikate
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* MIXA80R1200VAAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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