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MIXA80W1200PTEH

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; 3-phasen Brücke IGBT; Ic: 84A

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MIXA80W1200PTEH
Symbol TME:
MIXA80W1200PTEH

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Topologie
3-phasen Brücke IGBT, NTC Thermistor
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
84A
Gehäuse
E3-Pack
Elektrische Montage
Press-in PCB
Technologie
XPT™
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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MIXA80W1200PTEH
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