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MIXG240RF1200PTED

Modul: IGBT; Diode/Transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; X2PT

Hersteller: IXYS

Kennzeichnung des Herstellers:
MIXG240RF1200PTED
Symbol TME:
MIXG240RF1200PTED

Technische Daten

Hersteller
IXYS
Typ des Halbleitermoduls
IGBT
Struktur des Halbleiters
Diode/Transistor
Topologie
boost chopper
Rückspannung max.
1,2kV
Kollektor-Emitter-Strom
250A
Gehäuse
E2-Pack PFP
Elektrische Montage
Press-Fit
Technologie
X2PT
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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MIXG240RF1200PTED
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