MS1N8169US
Diode: TVS; 0,15kW; 53,2V; 1,95A; Unidirektional; Ch: 1; -55÷175°C
NEUHEIT
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MS1N8169US
Symbol TME:
MS1N8169US
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Dioden-Typ | TVS | |
Verlustleistung pro Impuls max. | 0,15kW | |
Rückspannung max. | 47V | |
Durchbruchspannung | 53,2V | |
Strom im max. Impuls | 1,95A | |
Struktur des Halbleiters | Unidirektional | |
Montage | SMD | |
Anzahl Kanäle | 1 | |
Betriebstemperatur | -55...175°C |
Bruttogewicht0.08 g
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* MS1N8169USAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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