MSCSM120HM16CT3AG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 1,2kV; 138A; SP3F; Press-in PCB; 745W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM120HM16CT3AG
Symbol TME:
MSCSM120HM16CT3AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 1,2kV | ||
Drainstrom | 138A | ||
Gehäuse | SP3F | ||
Topologie | H-Brücke + Paralleldioden, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 16mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 350A | ||
Verlustleistung | 745W | ||
Technologie | SiC | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht110 g
Zertifikate
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* MSCSM120HM16CT3AGAnzahl Stück (Vielfache: 2)
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Nettopreis für Mengen von 2 st - 324.70 EURBruttopreis für Mengen von 2 st - 386.39 EUR
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