MSCSM70AM19CT1AG
Modul; SiC-Diode/Transistor; 700V; 98A; SP1F; Press-in PCB; 365W
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM70AM19CT1AG
Symbol TME:
MSCSM70AM19CT1AG
Technische Daten
Hersteller | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Typ des Halbleitermoduls | Bipolartransistor, MOSFET | ||
Struktur des Halbleiters | SiC-Diode/Transistor | ||
Drain-Source Spannung | 700V | ||
Drainstrom | 98A | ||
Gehäuse | SP1F | ||
Topologie | Halbbrücke MOSFET + Paralleldioden, NTC Thermistor | ||
Elektrische Montage | Press-in PCB | ||
Widerstand im Leitungszustand | 19mΩ | ||
Drainstrom im Impuls | 250A | ||
Verlustleistung | 365W | ||
Technologie | SiC | ||
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht80 g
Zertifikate
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* MSCSM70AM19CT1AGAnzahl Stück (Vielfache: 7)
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