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MSMLJ100CA

Diode: TVS; 3kW; 117V; 18,6A; Bidirektional; ±5%; DO214AB


Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
MSMLJ100CA
Symbol TME:
MSMLJ100CA

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Dioden-Typ
TVS
Verlustleistung pro Impuls max.
3kW
Rückspannung max.
0,1kV
Durchbruchspannung
117V
Strom im max. Impuls
18,6A
Struktur des Halbleiters
Bidirektional
Toleranz
±5%
Gehäuse
DO214AB
Montage
SMD
Leck strom
2µA
Bruttogewicht1 g

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. ist Importeur von Produkten dieser Marke

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MSMLJ100CA
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