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Hersteller	NTE Electronics
Transistor-Typ	NPN
Polarisierung	bipolar
Transistor-Art	Germanium
Kollektor-Emitter-Spannung	32V
Kollektor-Emitter-Strom	1A
Verlustleistung	0,65W
Gehäuse	TO1
Transistorverstärkung	63...295
Montage	THT
Verpackungs-Art	unverpackt

NTE103A

Transistor: NPN; bipolar; Germanium; 32V; 1A; 650mW; TO1

Technische Daten