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NTE179

Transistor: PNP; bipolar; Germanium; 40V; 25A; 106W; TO3

Unterlagen EN

Hersteller: NTE Electronics

Kennzeichnung des Herstellers:
NTE179
Symbol TME:
NTE179

Technische Daten

Hersteller
NTE Electronics
Transistor-Typ
PNP
Polarisierung
bipolar
Transistor-Art
Germanium
Kollektor-Emitter-Spannung
40V
Kollektor-Emitter-Strom
25A
Verlustleistung
106W
Gehäuse
TO3
Transistorverstärkung
55...300
Montage
THT
Verpackungs-Art
unverpackt
Frequenz
0,5MHz
Bruttogewicht22.5 g
Zertifikate
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