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NTE213

Transistor: PNP; bipolar; Germanium; 60V; 30A; 170W; TO36

Unterlagen EN
Produktfamilie

Hersteller: NTE Electronics

Kennzeichnung des Herstellers:
NTE213
Symbol TME:
NTE213

Technische Daten

Hersteller
NTE Electronics
Transistor-Typ
PNP
Polarisierung
bipolar
Transistor-Art
Germanium
Kollektor-Emitter-Spannung
60V
Kollektor-Emitter-Strom
30A
Verlustleistung
170W
Gehäuse
TO36
Transistorverstärkung
15...100
Montage
THT
Verpackungs-Art
unverpackt
Bruttogewicht27.7 g
Zertifikate
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NTE213
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