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Hersteller	NTE Electronics
Transistor-Typ	PNP
Polarisierung	bipolar
Transistor-Art	BRT
Kollektor-Emitter-Spannung	50V
Kollektor-Emitter-Strom	0,1A
Verlustleistung	0,2W
Gehäuse	SOT23
Montage	SMD
Frequenz	200MHz
Basis-Widerstand	22kΩ
Basis-Emitter-Widerstand	22kΩ

NTE2417

Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0,1A; 0,2W; SOT23; R1: 22kΩ

Technische Daten