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Hersteller	NTE Electronics
Transistor-Typ	IGBT
Kollektor-Emitter-Spannung	400V
Kollektor-Emitter-Strom	10A
Verlustleistung	30W
Gehäuse	TO220FP
Gate - Emitter Spannung	±25V
Kollektorstrom im Impuls	130A
Montage	THT
Anschaltzeit	150ns
Ausschaltzeit	4,5µs

NTE3300

Transistor: IGBT; 400V; 10A; 30W; TO220FP

Technische Daten