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Hersteller	ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Transistor/Transistor
Topologie	IGBT Halbbrücke x3, NTC Thermistor
Rückspannung max.	750V
Kollektor-Emitter-Strom	950A
Gehäuse	SSDC33
Anwendung	Automobilbranche
Elektrische Montage	Press-in PCB, schraubbar
Gate - Emitter Spannung	±20V
Kollektorstrom im Impuls	1,9kA
Mechanische Montage	schraubbar

NVH950S75L4SPB

Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke x3; Ic: 950A

Technische Daten