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NVVR26A120M1WSB

Modul; Transistor/Transistor; 1,2kV; 400A; AHPM5-CDE; 1kW; SiC

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NVVR26A120M1WSB
Symbol TME:
NVVR26A120M1WSB

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung
1,2kV
Drainstrom
400A
Gehäuse
AHPM5-CDE
Topologie
MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage
schraubbar, THT
Widerstand im Leitungszustand
4,6mΩ
Verlustleistung
1kW
Technologie
SiC
Gate-Source Spannung
-10...25V
Verpackungs-Art
Tube
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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NVVR26A120M1WSB
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