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Hersteller	ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor
Rückspannung max.	650V
Kollektor-Emitter-Strom	450A
Gehäuse	PIM40
Anwendung	für UPS, Wechselrichter
Gate - Emitter Spannung	±20V
Technologie	SiC
Mechanische Montage	schraubbar

NXH450N65L4Q2F2S1G

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter

Technische Daten