+1 500 000 Produkte im Angebot

7000 Pakete jeden Tag

+300 000 Kunden aus 150 Ländern

Rufen Sie an: +49 341 2120340

Registrierung

Daten werden verarbeitet

Ihr Kreditlimit wurde überschritten. Die Bestellung wird angenommen, jedoch nicht realisiert. Der Lieferzeitplan für die bestellten Artikel wird ebenfalls nicht festgelegt. Setzen Sie sich bitte mit einem TME-Mitarbeiter in Verbindung.

Die Operation wurde erfolgreich durchgeführt.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuche noch einmal.

Hersteller	ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls	IGBT
Struktur des Halbleiters	Diode/Transistor
Topologie	3-Level 1-Phasen Wechselrichter, NTC Thermistor
Rückspannung max.	650V
Kollektor-Emitter-Strom	600A
Gehäuse	PIM41
Anwendung	für UPS, Wechselrichter
Gate - Emitter Spannung	±20V
Technologie	SiC
Mechanische Montage	schraubbar

NXH600N65L4Q2F2SG

Modul: IGBT; Diode/Transistor; 3-Level 1-Phasen Wechselrichter

Technische Daten