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NXV08H300DT1

Modul; Transistor/Transistor; 80V; APM17-MDC; THT; Ugs: ±20V; Tube

Hersteller: ONSEMI

Kennzeichnung des Herstellers:
NXV08H300DT1
Symbol TME:
NXV08H300DT1

Technische Daten

Hersteller
ONSEMI
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiters
Transistor/Transistor
Drain-Source Spannung
80V
Gehäuse
APM17-MDC
Topologie
MOSFET Halbbrücke
Elektrische Montage
THT
Widerstand im Leitungszustand
1,32mΩ
Gate-Source Spannung
±20V
Verpackungs-Art
Tube
Mechanische Montage
schraubbar
Bruttogewicht100 g
Zertifikate
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NXV08H300DT1
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