PD57018-E
Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 65V; 2,5A; 31,7W; PowerSO10RF
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
PD57018-E
Symbol TME:
PD57018-E
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Transistor-Art | RF | |
Drain-Source Spannung | 65V | |
Drainstrom | 2,5A | |
Verlustleistung | 31,7W | |
Gehäuse | PowerSO10RF | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Frequenz | 945MHz | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausgangsleistung | 18W | |
Verstärkung | 16,5dB |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* PD57018-EAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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