PSHI 25/12 POWERSEM - Modul IGBT
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; Brücke H; Urmax: 1,2kV; Ic: 21A
Kennzeichnung des Herstellers: PSHI 25/12
PSHI 25/12
Symbol TME: PSHI25/12
Technische Daten
Hersteller | POWERSEM | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | Brücke H | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 21A | |
Gehäuse | ECO-PAC 2 | |
Anwendung | Motoren | |
Elektrische Montage | THT | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 35A | |
Verlustleistung | 130W | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht30 g
Zertifikate
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* PSHI 25/12Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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