PSMN057-200P,127 NEXPERIA - Transistor N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Kennzeichnung des Herstellers: PSMN057-200P,127
PSMN057-200P,127
Symbol TME: PSMN057-200P.127
Technische Daten
Hersteller | NEXPERIA | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 200V | |
Drainstrom | 39A | |
Drainstrom im Impuls | 156A | |
Verlustleistung | 250W | |
Gehäuse | SOT78, TO220AB | |
Gate-Source Spannung | ±20V | |
Widerstand im Leitungszustand | 41mΩ | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 96nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht1.997 g
Zertifikate
Andere Produkte von dieser Kategorie ansehen: N-Kanal-Transistoren THT NEXPERIA,
* PSMN057-200P,127Anzahl Stück (Vielfache: 1)
null auf Lager bei TME
Gesamt: no-prices
Schwer erhältliches Produkt
Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 50 st