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QS5K2TR

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1,25W; TSOT25

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
QS5K2TR
Symbol TME:
QS5K2TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
N-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
30V
Drainstrom
2A
Drainstrom im Impuls
8A
Verlustleistung
1,25W
Gehäuse
TSOT25
Gate-Source Spannung
±12V
Widerstand im Leitungszustand
154mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
2,8nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Struktur des Halbleiters
gemeinsame Quelle
Ausführung
ESD
Bruttogewicht0.025 g
Zertifikate

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