QS6J11TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS6J11TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS6J11TR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -2A; Idm: -8A; 1,25W; TSMT6

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:

QS6J11TR

Symbol TME:

QS6J11TR

Nettopreis für Mengen von 1 st - 0.64 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 0.76 EUR

Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.42 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.50 EUR

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.30 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.36 EUR

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.25 EURBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.29 EUR

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.23 EURBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.27 EUR

Nettopreis für Mengen von 3000 st - 0.20 EURBruttopreis für Mengen von 3000 st - 0.24 EUR

Nettopreis für Mengen von 6000 st - 0.19 EURBruttopreis für Mengen von 6000 st - 0.23 EUR

Nettopreis für Mengen von 9000 st - 0.18 EURBruttopreis für Mengen von 9000 st - 0.22 EUR

Nettopreis für Mengen von 15000 st - 0.18 EURBruttopreis für Mengen von 15000 st - 0.21 EUR

Nettopreis für Mengen von 21000 st - 0.17 EURBruttopreis für Mengen von 21000 st - 0.20 EUR

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.

Hersteller	ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ	P-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	-12V
Drainstrom	-2A
Drainstrom im Impuls	-8A
Verlustleistung	1,25W
Gehäuse	TSMT6
Gate-Source Spannung	±10V
Widerstand im Leitungszustand	0,4Ω
Montage	SMD
Gate-Ladung	6,5nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs
Ausführung	ESD