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QS8J2TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -4A; Idm: -12A; 1,5W; TSMT8

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
QS8J2TR
Symbol TME:
QS8J2TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
P-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
-12V
Drainstrom
-4A
Drainstrom im Impuls
-12A
Verlustleistung
1,5W
Gehäuse
TSMT8
Gate-Source Spannung
±10V
Widerstand im Leitungszustand
132mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
20nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Ausführung
ESD
Bruttogewicht0.1 g
Zertifikate

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