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QS8J4TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1,5W; TSMT8


Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
QS8J4TR
Symbol TME:
QS8J4TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
P-MOSFET x2
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
-30V
Drainstrom
-4A
Drainstrom im Impuls
-16A
Verlustleistung
1,5W
Gehäuse
TSMT8
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
84mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
8,4nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Ausführung
ESD
Bruttogewicht0.1 g
Zertifikate

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