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Hersteller	ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ	P-MOSFET x2
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	-30V
Drainstrom	-5A
Drainstrom im Impuls	-20A
Verlustleistung	1,5W
Gehäuse	TSMT8
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	63mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	19nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs
Ausführung	ESD

QS8J5TR

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1,5W; TSMT8

Technische Daten

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