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QS8M31TR

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1,5W


Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:
QS8M31TR
Symbol TME:
QS8M31TR

Technische Daten

Hersteller
ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ
N/P-MOSFET
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
60/-60V
Drainstrom
3/-2A
Drainstrom im Impuls
4...6A
Verlustleistung
1,5W
Gehäuse
TSMD8
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
137/266mΩ
Montage
SMD
Gate-Ladung
4/7,2nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.027 g
Zertifikate

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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st