QS8M31TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8M31TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8M31TR
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1,5W

Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR

Kennzeichnung des Herstellers:

QS8M31TR

Symbol TME:

QS8M31TR

Nettopreis für Mengen von 1 st - 0.91 EURBruttopreis für Mengen von 1 st - 1.07 EUR

Nettopreis für Mengen von 10 st - 0.63 EURBruttopreis für Mengen von 10 st - 0.75 EUR

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.43 EURBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.51 EUR

Nettopreis für Mengen von 250 st - 0.37 EURBruttopreis für Mengen von 250 st - 0.44 EUR

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.34 EURBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.40 EUR

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.31 EURBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.36 EUR

Nettopreis für Mengen von 3000 st - 0.27 EURBruttopreis für Mengen von 3000 st - 0.32 EUR

Nettopreis für Mengen von 6000 st - 0.26 EURBruttopreis für Mengen von 6000 st - 0.31 EUR

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.

Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st

Hersteller	ROHM SEMICONDUCTOR
Transistor-Typ	N/P-MOSFET
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	60/-60V
Drainstrom	3/-2A
Drainstrom im Impuls	4...6A
Verlustleistung	1,5W
Gehäuse	TSMD8
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	137/266mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	4/7,2nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs