SI3552DV-T1-E3

Name: VISHAY SI3552DV-T1-E3
Brand: VISHAY
SKU: SI3552DV-T1-E3
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 2,5/-1,8A

Hersteller: VISHAY

Kennzeichnung des Herstellers:

SI3552DV-T1-E3

Symbol TME:

SI3552DV-T1-E3

Nettopreis für Mengen von 1 st - 1.18 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 1.41 USD

Nettopreis für Mengen von 5 st - 0.98 USDBruttopreis für Mengen von 5 st - 1.16 USD

Nettopreis für Mengen von 25 st - 0.70 USDBruttopreis für Mengen von 25 st - 0.83 USD

Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.60 USDBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.71 USD

Nettopreis für Mengen von 100 st - 0.51 USDBruttopreis für Mengen von 100 st - 0.61 USD

Nettopreis für Mengen von 250 st - 0.43 USDBruttopreis für Mengen von 250 st - 0.51 USD

Nettopreis für Mengen von 500 st - 0.38 USDBruttopreis für Mengen von 500 st - 0.45 USD

Nettopreis für Mengen von 1000 st - 0.37 USDBruttopreis für Mengen von 1000 st - 0.44 USD

Anzahl Stück (Vielfache: 1)

Mögliche Mindestbestellmenge: 1.
Vielfache: 1.

Das Produkt ist nur verfügbar, solange der Vorrat reicht

Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 3 000 st

Hersteller	VISHAY
Transistor-Typ	N/P-MOSFET
Technologie	TrenchFET®
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	30/-30V
Drainstrom	2,5/-1,8A
Drainstrom im Impuls	-7...8A
Verlustleistung	1,15W
Gehäuse	SC74, TSOP6
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	360/175mΩ
Montage	SMD
Gate-Ladung	3,6/3,2nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs