SI8902AEDB-T2-E1
Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Hersteller: VISHAY
Kennzeichnung des Herstellers:
SI8902AEDB-T2-E1
Symbol TME:
SI8902AEDB-T2-E1
Technische Daten
Hersteller | VISHAY | |
Transistor-Typ | N-MOSFET x2 | |
Technologie | TrenchFET® | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 24V | |
Drainstrom | 11A | |
Drainstrom im Impuls | 40A | |
Verlustleistung | 5,7W | |
Gehäuse | MICROFOOT® | |
Gate-Source Spannung | ±12V | |
Widerstand im Leitungszustand | 37mΩ | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht0.001 g
Zertifikate
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* SI8902AEDB-T2-E1Anzahl Stück (Vielfache: 3 000)
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