SKM195GB066D
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 600V
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Kennzeichnung des Herstellers:
SKM195GB066D
Alternative Bezeichnungen: 22890052
Symbol TME:
SKM195GB066D
Technische Daten
Hersteller | SEMIKRON DANFOSS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 0,6kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 200A | |
Gehäuse | SEMITRANS2 | |
Ausführung | D61 | |
Anwendung | für UPS, Photovoltaik, Wechselrichter | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 1,4kA | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht154.2 g
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Verpackungsmethode durch den HerstellerKarton = 8 st