SKM400GB125D
Modul: IGBT; Transistor/Transistor; IGBT Halbbrücke; Urmax: 1,2kV
Hersteller: SEMIKRON DANFOSS
Kennzeichnung des Herstellers:
SKM400GB125D
Alternative Bezeichnungen: 22890626
Symbol TME:
SKM400GB125D
Technische Daten
Hersteller | SEMIKRON DANFOSS | |
Typ des Halbleitermoduls | IGBT | |
Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor | |
Topologie | IGBT Halbbrücke | |
Rückspannung max. | 1,2kV | |
Kollektor-Emitter-Strom | 300A | |
Gehäuse | SEMITRANS3 | |
Ausführung | D56 | |
Anwendung | für UPS, Photovoltaik, Wechselrichter | |
Elektrische Montage | schraubbar, Steckverbinder FASTON | |
Gate - Emitter Spannung | ±20V | |
Kollektorstrom im Impuls | 600A | |
Mechanische Montage | schraubbar |
Bruttogewicht307.4 g
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* SKM400GB125DAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerKarton = 12 st