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MSCSM120VR1M062CT6AG

Modul; 1,2kV; 420A; 1,753kW; SiC

NEUHEIT
Unterlagen EN

Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY

Kennzeichnung des Herstellers:
MSCSM120VR1M062CT6AG
Symbol TME:
SM120VR1M062CT6AG

Technische Daten

Hersteller
MICROCHIP TECHNOLOGY
Typ des Halbleitermoduls
Bipolartransistor, MOSFET
Drain-Source Spannung
1,2kV
Drainstrom
420A
Widerstand im Leitungszustand
6,2mΩ
Verlustleistung
1,753kW
Technologie
SiC
Bruttogewicht0.89 g

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MSCSM120VR1M062CT6AG
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