STD10N60M2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,9A; 85W; DPAK; ESD
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD10N60M2
Symbol TME:
STD10N60M2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SuperMesh™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 4,9A | |
Verlustleistung | 85W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,6Ω | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausführung | ESD |
Bruttogewicht0.383 g
Zertifikate
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* STD10N60M2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Nettopreis für Mengen von 50 st - 0.64 GBPBruttopreis für Mengen von 50 st - 0.76 GBP
Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st