STD13N60M2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD13N60M2
Symbol TME:
STD13N60M2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SuperMesh™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 7A | |
Verlustleistung | 110W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,38Ω | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausführung | ESD |
Bruttogewicht0.441 g
Zertifikate
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* STD13N60M2Anzahl Stück (Vielfache: 1)
1611 auf Lager bei TME
Nettopreis für Mengen von 1 st - 1.75 USDBruttopreis für Mengen von 1 st - 2.08 USD
Nettopreis für Mengen von 10 st - 1.14 USDBruttopreis für Mengen von 10 st - 1.36 USD
Nettopreis für Mengen von 75 st - 1.09 USDBruttopreis für Mengen von 75 st - 1.30 USD
Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st