STD18N65M5
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9,4A; 110W; DPAK; ESD
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD18N65M5
Symbol TME:
STD18N65M5
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SuperMesh™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 9,4A | |
Verlustleistung | 110W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,22Ω | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausführung | ESD |
Bruttogewicht0.523 g
Zertifikate
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* STD18N65M5Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st