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Hersteller	STMicroelectronics
Transistor-Typ	N-MOSFET
Polarisierung	unipolar
Drain-Source Spannung	200V
Drainstrom	18A
Drainstrom im Impuls	72A
Verlustleistung	110W
Gehäuse	DPAK
Gate-Source Spannung	±20V
Widerstand im Leitungszustand	0,125Ω
Montage	SMD
Gate-Ladung	28nC
Verpackungs-Art	Band, Rolle
Kanal-Art	anreicherungs

STD25NF20

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 110W; DPAK

Technische Daten