STD2LN60K3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,26A; 45W; DPAK; ESD
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD2LN60K3
Symbol TME:
STD2LN60K3
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SuperMesh™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 1,26A | |
Verlustleistung | 45W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Widerstand im Leitungszustand | 4,5Ω | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausführung | ESD |
Bruttogewicht0.37 g
Zertifikate
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* STD2LN60K3Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st