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STD45N10F7

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STD45N10F7
Symbol TME:
STD45N10F7

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
N-MOSFET
Technologie
STripFET™ F7
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
100V
Drainstrom
32A
Drainstrom im Impuls
180A
Verlustleistung
60W
Gehäuse
DPAK
Gate-Source Spannung
±20V
Widerstand im Leitungszustand
18mΩ
Montage
SMD
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht0.454 g
Zertifikate
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STD45N10F7
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRolle = 2 500 st