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Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | SuperMesh™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 620V | |
Drainstrom | 2A | |
Verlustleistung | 70W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Widerstand im Leitungszustand | 2Ω | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausführung | ESD |