STD4N90K5
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; Idm: 12A; 60W; DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD4N90K5
Symbol TME:
STD4N90K5
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 900V | |
Drainstrom | 3A | |
Drainstrom im Impuls | 12A | |
Verlustleistung | 60W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Widerstand im Leitungszustand | 2,1Ω | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 5,3nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* STD4N90K5Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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