STD5NM60-1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3,1A; Idm: 20A; 96W; IPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD5NM60-1
Symbol TME:
STD5NM60-1
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | MDmesh™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 3,1A | |
Drainstrom im Impuls | 20A | |
Verlustleistung | 96W | |
Gehäuse | IPAK | |
Gate-Source Spannung | ±30V | |
Widerstand im Leitungszustand | 1Ω | |
Montage | THT | |
Gate-Ladung | 18nC | |
Verpackungs-Art | Tube | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht0.41 g
Zertifikate
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* STD5NM60-1Anzahl Stück (Vielfache: 1)
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Verpackungsmethode durch den HerstellerRohr = 75 st