STD6N60M2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2,9A; Idm: 18A; 60W; DPAK; ESD
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD6N60M2
Symbol TME:
STD6N60M2
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 2,9A | |
Drainstrom im Impuls | 18A | |
Verlustleistung | 60W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 1,2Ω | |
Montage | SMD | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Ausführung | ESD |
Bruttogewicht0.025 g
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