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Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Technologie | MDmesh™ | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 600V | |
Drainstrom | 8A | |
Verlustleistung | 85W | |
Gehäuse | DPAK, TO252 | |
Widerstand im Leitungszustand | 570mΩ | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 4nC | |
Kanal-Art | anreicherungs |