STD9N60M6
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13,4A; 76W; DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD9N60M6
Symbol TME:
STD9N60M6
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 6A | |
Drainstrom im Impuls | 13,4A | |
Verlustleistung | 76W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 0,75Ω | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 10nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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