STD9N65DM6AG
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 28A; 89W; DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kennzeichnung des Herstellers:
STD9N65DM6AG
Symbol TME:
STD9N65DM6AG
Technische Daten
Hersteller | STMicroelectronics | |
Transistor-Typ | N-MOSFET | |
Polarisierung | unipolar | |
Drain-Source Spannung | 650V | |
Drainstrom | 9A | |
Drainstrom im Impuls | 28A | |
Verlustleistung | 89W | |
Gehäuse | DPAK | |
Gate-Source Spannung | ±25V | |
Widerstand im Leitungszustand | 440mΩ | |
Montage | SMD | |
Gate-Ladung | 11,7nC | |
Verpackungs-Art | Band, Rolle | |
Kanal-Art | anreicherungs | |
Anwendung | Automobilbranche |
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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* STD9N65DM6AGAnzahl Stück (Vielfache: 1)
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