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STD9N65M2

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; DPAK

Hersteller: STMicroelectronics

Kennzeichnung des Herstellers:
STD9N65M2
Symbol TME:
STD9N65M2

Technische Daten

Hersteller
STMicroelectronics
Transistor-Typ
N-MOSFET
Polarisierung
unipolar
Drain-Source Spannung
650V
Drainstrom
5A
Drainstrom im Impuls
20A
Verlustleistung
60W
Gehäuse
DPAK
Gate-Source Spannung
±25V
Widerstand im Leitungszustand
0,9Ω
Montage
SMD
Gate-Ladung
10,3nC
Verpackungs-Art
Band, Rolle
Kanal-Art
anreicherungs
Bruttogewicht1 g
Zertifikate
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